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西門康IGBT模塊供應在使用中的注意事項
點擊次數(shù):1924 更新時間:2017-06-29
  由于西門康IGBT模塊供應為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:
  
  1、在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當必須要觸摸西門康IGBT模塊供應端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;
  
  2、在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;
  
  3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
  
  此外,在柵極—發(fā)射極間開路時,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使西門康IGBT模塊供應發(fā)熱及至損壞。在使用西門康IGBT模塊供應的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則西門康IGBT模塊供應就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換西門康IGBT模塊供應時,應十分重視西門康IGBT模塊供應與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致西門康IGBT模塊供應發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近西門康IGBT模塊供應的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止西門康IGBT模塊供應工作。
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