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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

型    號: MG75Q2YS50
報    價: 999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

詳細資料:

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50  東芝1200V;75A 2單元IGBT模塊

日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列:
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MG50BZ100MG75H2YS1MG75J2YS40MG75J2YS50
MG100J2YS40MG100J2YS41MG100J2YS50MG100H2ZS1
MG100G2YS1MG150J2YS50MG150J2YS40MG200J2YS50
MG200J2YS40MG300J2YS50MG300J2YS40MG400J2YS50
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